金融界2024年12月5日音讯，国家知识产权局信息数据显现，英飞凌科技股份有限公司请求一项名为“包含高K栅极电介质多层层叠结构的半导体器材和用来制作该器材的办法”的专利，揭露号CN 119069527 A，请求日期为2024年5月。

  专利摘要显现，揭露了包含高K栅极电介质多层层叠结构的半导体器材和用来制作该器材的办法。描绘了一种包含SiC主体的半导体器材，其具有栅极结构，栅极结构包含栅极电介质，栅极电介质具有特定的多层层叠结构，多层层叠结构包含具有4或更高的介电常数的榜首电介质资料和第二电介质资料的替换的层。进一步描绘了用来制作如之前提及的这样的包含SiC主体的半导体器材的办法。

  特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包含在内)为自媒体渠道“网易号”用户上传并发布，本渠道仅供给信息存储服务。

  碧桂园债款重组获重大进展！方案最多削减116亿美元债款，债款延期最长11.5年

  掘金横扫篮网：约基奇复出35+12+15 威少25+11+10连创纪录

  极摩客称将全球首发 AMD Ryzen AI Max+ 395 迷你主机

  英特尔Lunar Lake模块化PC原型展现：广达制作，具有多种概念功用

  酷冷至尊推出 Ncore 100 Air Mini-ITX 机箱：免东西快拆规划

  爸爸带女儿游玩，一不小心就把女儿的手扯脱臼了，网友：必定要注意，次数多了就要成习惯性脱臼

  人类幼仔“质检”被吓哭了，快！拿点吃的给他就好了，网友：我兄弟好不幸哦